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[商品主貨號] U102351582
[代售商品編號] 103244000189
[ISBN-13碼] 9787030414991
[ISBN] 7030414993
[作者] 林殷茵
[出版社] 科學出版社
[出版日期] 2014/08/01
[裝訂/規格] 121頁 / 21 x 14.8 x 1.5 cm / 普通級 / 1-1
[目錄]
前言
第1章 RRAM概述
參考文獻
第2章 2D RRAM的存儲單元結構
2.1 1T1R單元
2.1.1 單元結構
2.1.2 單極和雙極操作
2.2 采用二極管作為選通器件的單元
2.2.1 單極操作的1D1R單元
2.2.2 采用雙向二極管作為選通器件的RRAM單元
2.3 自整流RRAM單元
2.3.1 混合型RRAM存儲單元
2.3.2 互補型RRAM器件
參考文獻
第3章 RRAM的阻變機理
3.1 導電細絲的類型及其相應的阻變過程
3.1.1 金屬導電絲型RRAM
3.1.2 氧空位導電絲RRAM
3.2 RRAM的FORMING過程
3.3 導電細絲的微縮化及其對性能的影響
參考文獻
第4章 影響RRAM讀寫性能的主要因素和優化方法
4.1 降低RESET電流的方法
4.1.1 構建多層結構
4.1.2 通過控制限流降低功耗
4.2 操作算法提高RRAM讀寫特性
4.2.1 自適應寫操作算法提高寫成功率和Roff／Ron窗口
4.2.2 操作算法提高參數一致性
4.3 工藝方法提高讀寫參數一致性
4.3.1 電極效應
4.3.2 插入緩沖層和構建雙層結構
4.3.3 嵌入金屬來控制導電通路
參考文獻
第5章 RRAM的可靠性
5.1 保持特性當前的測試方法
5.2 保持特性的模型和改善方法
5.2.1 RRAM保持特性失效模型
5.2.2 通過形成高密度的氧空位CF改善保持特性
5.2.3 通過動態自適應寫操作算法改善保持特性
5.3 耐久性模型和改善方法
5.3.1 耐久性失效模型
5.3.2 高耐久性的器件結構
5.3.3 通過編程算法提高耐久性
參考文獻
第6章 提高RRAM讀寫速度及帶寬的電路技術
6.1 提高讀速度的電路技術
6.1.1 基於反饋調節的位線偏壓方案
6.1.2 PTADB方案
6.2 提高讀帶寬的電路技術
6.2.1 片上所有sA同時工作
6.2.2 交替頁訪問並結合DDR接口輸出
6.3 加快寫速度及帶寬的電路技術
參考文獻
第7章 提高RRAM讀寫良率和可靠性的電路技術
7.1 提高讀良率的電路技術
7.1.1 PSRC方案
7.1.2 SARM方案
7.1.3 BDD-CSA方案
7.1.4 TABB方案
7.1.5 SSC-CSA方案
7.2 提高寫良率降低寫功耗的電路技術
7.2.1 自適應寫模式
7.2.2 帶反饋的自定時寫方案
7.3 提高耐久性和保持特性的電路技術
7.3.1 兩步FORMING方案
7.3.2 阻值驗證寫方案
7.3.3 動態自適應寫方法
參考文獻
第8章 3D RRAM集成及電路技術
8.1 傳統交叉點架構的漏電通路及功耗問題
8.2 基於lTXR的3D RRAM
8.2.1 lTXR單元及陣列架構
8.2.2 克服寫干擾的編程算法
8.2.3 克服讀干擾的措施
8.3 基於1D1R單元的3D RRAM
8.3.1 陣列架構
8.3.2 可以補償漏電流來精確檢測阻態變化的寫電路技術
8.3.3 采用位線電容隔離來加快sA翻轉的讀電路
8.4 采用雙向二極管作為選通器件的3D RRAM
8.4.1 陣列架構
8.4.2 lBDlR陣列的編程條件
8.4.3 采用冗余單元的多位寫架構
8.5 具有較低光刻成本的豎直3D堆疊方式
8.5.1 單元和陣列的截面圖
8.5.2 光刻方面的成本優勢
參考文獻)
[內容簡介] (出版商制式文字, 不論標題或內容簡介是否有標示, 請都以『沒有附件、沒有贈品』為參考。)
：系統總結、歸納和對比了近來國際上以及林教授組在阻變存儲器核心技術上研究的最新成果以及發展趨勢，如阻變存儲器材料、機理、器件、電路設計，內容非常深入和系統完整。書中會對大陸的研究者深入了解阻變存儲器這一國際熱點研究領域的進展、發展軌跡、聚焦問題以及當前的走勢。)
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